| IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。 |
SOI工业协会组织的执行总裁Horacio Mendez表示：“这项工作表明表明电路板的制成技术由体硅转向FD-SDI可以直接进行，这仅取决于特定芯片制造商所使用的FD-SDI技术。这项设计能缩短基于FD-SOI设备的面世时间，同时将带来更优化的ICs以及更快的实时速度。”
研究中bulk-to-fd-soi网络芯片设计的移植，将在现有的平面设计中进行最小的调整，尤其是可行的标准单元库、内存编译器和输入输出操作系统，以获得模拟和混合信号设计。
FD-SOI一项设计特点是其潜在性能，在运行全IP内核或者整组芯片时电压的供给可以非常低，大概在0.5-0.6V之间。
目前，该小组正在为全芯片设计接口的两线路进行检测。
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评论时间：2023-06-15 00:25:03
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